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J-GLOBAL ID：200902198080079075   Reference number：00A0812115

A study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy.

共軸直衝突イオン散乱分光によるSi(100)-2×1表面の初期酸化の観察

Author (6)： WASEKURA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIGASHI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 159/160  Page： 35-40  Publication year： Jun. 2000 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： impact-collision ion scattering spectroscopy

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JST classification (2)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 衝突 ,  イオン散乱分光 ,  Si ,  初期 ,  酸化 ,  観察