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J-GLOBAL ID：200902198426264249   Reference number：02A0141550

AlGaN/AlN/GaN High-Power Microwave HEMT.

AlGaN/AlN/GaN高パワーマイクロ波HEMT

Author (9)： SHEN L (Univ. California, CA, USA) ,  HEIKMAN S (Univ. California, CA, USA) ,  MORAN B (Univ. California, CA, USA) ,  COFFIE R (Univ. California, CA, USA) ,  ZHANG N-Q (Univ. California, CA, USA) ,  BUTTARI D (Univ. California, CA, USA) ,  SMORCHKOVA I P (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 22  Issue： 10  Page： 457-459  Publication year： Oct. 2001 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  パワー ,  マイクロ波 ,  HEMT