Art

J-GLOBAL ID：200902198647821690   Reference number：98A0950486

Preparation and Dielectric Property of BaTiO₃-SrTiO₃ Artificially Modulated Structures.

BaTiO₃-SrTiO₃人工変調構造の作製と誘電的性質

Author (4)： TURUMI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYASOU T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHIBASHI Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHASHI N (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 9B  Page： 5104-5107  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： lattice relaxation

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0950486&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (10)：

• 1) K. Abe and S. Komatsu: J. Appl. Phys. 77 (1995) 6461
• 2) K. Abe and S. Komatsu: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361 (1995) 465.
• 3) K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5846
• 4) J. V. Mantese, N. W. Shubring, A. L. Micheli, A. B. Catalan, M. S. Mohammed, R. Naik and G. W. Auner: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2047
• 5) K. Iijima, T. Terashima, Y. Bando, K. Kamigaki and H. Terauchi: J. Appl. Phys. 72 (1992) 2840

Terms in the title (5)： BaTiO3 ,  人工 ,  変調構造 ,  作製 ,  誘電的性質