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J-GLOBAL ID：200902198920857767   Reference number：98A0823855

GaN heteroepitaxial growth on silicon nitride buffer layers formed on Si(111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによる,Si(111)表面上に形成した窒化けい素バッファ層上へのGaNヘテロエピタキシャル成長

Author (3)： NAKADA Y (Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT)-Angstrom Technol. Partnership, Ibaraki, JPN) ,  AKSENOV I (Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT)-Angstrom Technol. Partnership, Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 6  Page： 827-829  Publication year： Aug. 10, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (9)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  Si ,  窒化けい素 ,  バッファ層 ,  GaN ,  テロ ,  エピタキシャル成長