Art

J-GLOBAL ID：200902199087404695   Reference number：96A1019022

Structure and formation mechanisms of AlGaAs V-groove vertical quantum wells grown by low pressure organometallic chemical vapor deposition.

低圧有機金属化学蒸着によって成長させたAlGaAsのV形溝垂直量子井戸の構造と形成機構

Author (5)： BIASIOL G (<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  REINHARDT F (<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  GUSTAFSSON A (<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MARTINET E (<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  KAPON E (<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 18  Page： 2710-2712  Publication year： Oct. 28, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： 低圧 ,  有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  AlGaAs ,  V形溝 ,  垂直 ,  量子井戸