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J-GLOBAL ID：200902199261127361   Reference number：97A0320376

Nucleation Control in the Growth of Bulk GaN by Sublimation Method.

昇華法によるバルクGaN成長における核形成の制御

Author (3)： KURAI S (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  NISHINO K (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  SAKAI S (Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 36  Issue： 2B  Page： L184-L186  Publication year： Feb. 15, 1997 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (9)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353
• 2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L217
• 5) Z. Liliental-Weber, C. Kisielowski, X. Liu, L. Schloss, E. R. Weber, M. Bockowski, J. Jun, I. Grzegory and S. Porowski: Top. Workshop on III-V Nitrides Abstr., Nagoya, 1995, G-8.

Terms in the title (5)： 昇華 ,  バルク ,  GaN ,  成長 ,  核形成