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J-GLOBAL ID：200902199317224047   Reference number：96A0857743

Planar Edge Termination for 4H-Silicon Carbide Devices.

4H-炭化けい素のためのプレーナエッジ終端

Author (3)： ALOK D (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  RAGHUNATHAN R (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 43  Issue： 8  Page： 1315-1317  Publication year： Aug. 1996 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polytype ,...

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JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (2)： 炭化けい素 ,  終端