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J-GLOBAL ID：200902199681781130   Reference number：96A0820548

Electrical transport in p-GaN, n-InN and n-InGaN.

p-GaN,n-InN及びn-InGaNにおける電子輸送

Author (5)： GEERTS W (Univ. Florida, FL, USA) ,  MACKENZIE J D (Univ. Florida, FL, USA) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, FL, USA) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  SCHMIEDEL T (National High Magnetic Field Lab., FL, USA)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 39  Issue： 9  Page： 1289-1294  Publication year： Sep. 1996 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (4)： GaN ,  InN ,  InGaN ,  電子輸送