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J-GLOBAL ID：200902202430801230   Reference number：03A0530417

Layer-resolved kinetics of Si oxidation investigated using the reflectance difference oscillation method.

反射率差振動法を使ったSi酸化の層分解研究

Author (6)： YASUDA T (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  KUMAGAI N (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  NISHIZAWA M (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  YAMASAKI S (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  OHEDA H (Tsukuba Univ., Tsukuba, JPN) ,  YAMABE K (Tsukuba Univ., Tsukuba, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 67  Issue： 19  Page： 195338.1-195338.6  Publication year： May. 2003 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 反射率 ,  Si ,  酸化 ,  層 ,  分解 ,  研究