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J-GLOBAL ID：200902203796333120   Reference number：04A0849161

The effect of nitrogen addition during high-rate homoepitaxial growth of diamond by microwave plasma CVD

マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの高速ホモエピタキシャル成長過程での窒素添加効果

Author (7)： CHAYAHARA A (AIST, Osaka, JPN) ,  MOKUNO Y (AIST, Osaka, JPN) ,  HORINO Y (AIST, Osaka, JPN) ,  TAKASU Y (AIST, Osaka, JPN) ,  KATO H (AIST, Osaka, JPN) ,  YOSHIKAWA H (AIST, Osaka, JPN) ,  FUJIMORI N (AIST, Osaka, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 13  Issue： 11/12  Page： 1954-1958  Publication year： Nov. 2004 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *plasma CVD ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Substance index (1)： Methane

Terms in the title (7)： マイクロ波プラズマCVD ,  ダイヤモンド ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  過程 ,  窒素 ,  添加効果