Art

J-GLOBAL ID：200902204486232257   Reference number：03A0393088

Room-Temperature 1.54μm Light Emission from Er,O-Codoped GaAs/GaInP Light-Emitting Diodes Grown by Low-Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy

低圧有機金属気相エピタキシーによって成長させたEr,O共添加GaAs/GaInP発光ダイオードからの室温1.54μm発行

Author (6)： KOIZUMI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  INOUE K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  URAKAMI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOSHIKANE T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 4B  Page： 2223-2225  Publication year： Apr. 30, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...
Semi thesaurus term： OMVPE

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0393088&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (9)：

• 1) K. Takahei and A. Taguchi: J. Appl. Phys. 74 (1993) 1979.
• 2) K. Takahei, A. Taguchi, Y. Horikoshi and J. Nakata: J. Appl. Phys. 76 (1994) 4332.
• 3) H. Ofuchi, T. Kubo, M. Tabuchi, K. Takahei and Y. Takeda: Microelectron. Eng. 51–52 (2000) 715.
• 4) Y. Fujiwara, T. Kawamoto, T. Koide and Y. Takeda: Physica B 273–274 (1999) 770.
• 5) Y. Fujiwara, S. Furuta, K. Makita, Y. Ito, Y. Nonogaki and Y. Takeda: J. Cryst. Growth 146 (1995) 544.

Terms in the title (10)： 低圧 ,  有機金属気相エピタキシー ,  成長 ,  Er ,  共添加 ,  GaAs ,  GaInP ,  発光ダイオード ,  室温 ,  発行