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J-GLOBAL ID：200902204574342771   Reference number：03A0442749

ArF-excimer-laser annealing of 3C-SiC films-diode characteristics and numerical simulation

3C-SiC膜のArF-エキシマレーザアニーリング ダイオード特性と数値シミュレーション

Author (2)： MIZUNAMI T (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TOYAMA N (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
Material： Optics & Laser Technology  (Opt Laser Technol)
Volume： 35  Issue： 6  Page： 451-456  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： D0245B  ISSN： 0030-3992  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Schottky barrier diode ,...
Semi thesaurus term： 3C-SIC

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JST classification (3)： Diodes  (NC03050R) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (4)： 3C-SiC ,  ARF ,  ダイオード特性 ,  数値シミュレーション