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J-GLOBAL ID：200902204576662226   Reference number：06A0630868

High performance thin-film flip-chip InGaN-GaN light-emitting diodes

高性能薄膜フリップチップInGaN-GaN発光ダイオード

Author (8)： SHCHEKIN O. B. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  EPLER J. E. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  TROTTIER T. A. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  MARGALITH T. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  STEIGERWALD D. A. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  HOLCOMB M. O. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  MARTIN P. S. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131) ,  KRAMES M. R. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 7  Page： 071109-071109-3  Publication year： Aug. 14, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： flip chip method ,...
Semi thesaurus term： yttrium aluminium garnet

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 高性能 ,  薄膜 ,  フリップチップ ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード