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J-GLOBAL ID：200902204883557936   Reference number：08A0818607

Fast phase transitions induced by picosecond electrical pulses on phase change memory cells

相変化メモリーセル上でのピコ秒電気パルスによって誘発された高速相転移

Author (7)： WANG W. J. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP) ,  SHI L. P. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP) ,  ZHAO R. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP) ,  LIM K. G. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP) ,  LEE H. K. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP) ,  CHONG T. C. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP) ,  WU Y. H. (Electrical Computer Engineering Dep., National Univ. of Singapore, Singapore 117576, SGP)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 4  Page： 043121  Publication year： Jul. 28, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *picosecond ,  *phase transition ,  *nanostructure ,  telluride (chalcogenide) ,  *germanium compound ,  antimony compound ,  compound semiconductor ,  size effect ,  *voltage ,  RAM ,  phase change random access memory
Semi thesaurus term： 相変化メモリ ,  *pulse voltage

JST classification (1)： Solid phase transitions  (BL04020G)

Terms in the title (6)： 相変化メモリー ,  セル ,  ピコ秒 ,  電気パルス ,  誘発 ,  相転移