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J-GLOBAL ID：200902205020350264   Reference number：03A0400789

Tuning the structural and optical properties of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dots by a combined InAlAs and GaAs strained buffer layer

複合InAlAsおよびGaAs歪バッファ層による1.3μm InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性のチューニング

Author (2)： LIU H Y (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  HOPKINSON M (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 82  Issue： 21  Page： 3644-3646  Publication year： May. 26, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： InAlAs ,  GaAs ,  歪 ,  バッファ層 ,  InAs ,  量子ドット ,  光学特性 ,  チューニング