仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>バッファ層の成長と構造評価

TAKEUCHI SHOTARO; SAKAI AKIRA; YAMAMOTO KOJI; NAKATSUKA OSAMU; OGAWA MASATAKE; ZAIMA SHIGEAKI

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J-GLOBAL ID：200902206311692940 Reference number：06A0266111

仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge_1-xSn_xバッファ層の成長と構造評価

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Volume： 53rd Issue： 1 Page： 413 Publication year： Mar. 22, 2006
JST Material Number： Y0054A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッファ層の成長と構造評価

仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge_1-xSn_xバッファ層の成長と構造評価