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J-GLOBAL ID：200902206695115104   Reference number：09A0590897

Fundamental Oscillation of up to 831GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode

GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードにおける831GHzまでの基本振動

Author (6)： SUZUKI Safumi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TERANISHI Atsushi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HINATA Kensuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Hiroki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 5  Page： 054501.1-054501.3  Publication year： May. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *resonant tunneling diode ,  *aluminum arsenide ,  *indium gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *heterojunction ,  *slot antenna ,  mesa structure ,  *doping ,  output ,  concentration dependence

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Reference (15)：

• TONOUCHI, M. Nat. Photonics. 2007, 1, 97
• KOHLER, R. Nature. 2002, 417, 156
• WILLIAMS, B. S. Nat. Photonics. 2007, 1, 517
• WALTHER, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 131122
• BROWN, E. R. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2291

Terms in the title (3)： GaInAs ,  AlAs ,  共鳴トンネルダイオード