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J-GLOBAL ID：200902207238540653   Reference number：09A0441802

Substantially low desorption barriers in recombinative desorption of deuterium from a Si(100) surface

Si(100)表面からの重水素の再結合脱離における実質的に低い脱着バリヤー

Author (4)： NARITA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KIHARA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  INANAGA S. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NAMIKI A. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 603  Issue： 9  Page： 1168-1174  Publication year： May. 01, 2009 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *desorption ,  *obstruction ,  *deuterium ,  *recombination (connection) ,  dynamics ,  thermal programmed desorption ,  heat of adsorption ,  Arrhenius equation ,  desorption rate
Semi thesaurus term： *barrier ,  temperature-programmed desorption ,  *desorption

JST classification (3)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Surface chemistry in general  (CB12010J) ,  Intermolecular interactions  (BH07020P)

Terms in the title (6)： Si ,  重水素 ,  再結合 ,  脱離 ,  脱着 ,  バリヤー