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J-GLOBAL ID：200902207719562383   Reference number：05A0154100

Dual Workfunction Ni-Silicide/HfSiON Gate Stacks by Phase-Controlled Full-Silicidation (PC-FUSI) Technique for 45nm-node LSTP and LOP Devices

45nmノードLSTPとLOPデバイスのための相制御完全シリサイド化(PC-FUSI)技術によるデュアル仕事関数Ni-シリサイド/HfSiONゲートスタック

Author (9)： TAKAHASHI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MANABE K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  IKARASHI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  IKARASHI N (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HASE T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIHARA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TATSUMI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MOCHIZUKI Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2004  Page： 91-94  Publication year： 2004 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： PC-FUSI ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： ノード ,  シリサイド ,  PC ,  デュアル ,  仕事関数 ,  Ni ,  HfSiON ,  ゲートスタック