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J-GLOBAL ID：200902207870626075   Reference number：05A0564406

Threshold voltage instability characteristics of HfO2 dielectrics n-MOSFETs

HfO₂誘電体n-MOSFETのしきい値電圧不安定性特性

Author (2)： RHEE Se Jong (Microelectronic Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Texas at Austin, TX, USA) ,  LEE Jack C. (Microelectronic Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Texas at Austin, TX, USA)
Material： Microelectronics Reliability  (Microelectronics and Reliability)
Volume： 45  Issue： 7-8  Page： 1051-1060  Publication year： Jul. 2005 
JST Material Number： C0530A  ISSN： 0026-2714  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： cyclic load

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (6)： HfO2 ,  誘電体 ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  不安定 ,  性特性