Art

J-GLOBAL ID：200902208089746029   Reference number：08A0392305

Vapor-Liquid-Solid Growth of 3C-SiC on α-SiC Substrates. 1. Growth Mechanism

α-SiC基板上における3C-SiCの気液固相成長 1 成長機構

Author (6)： SOUEIDAN Maher (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  SOUEIDAN Maher (Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN) ,  FERRO Gabriel (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  KIM-HAK Olivier (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  CAUWET Francois (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  NSOULI Bilal (Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN)
Material： Crystal Growth & Design  (Cryst Growth Des)
Volume： 8  Issue： 3  Page： 1044-1050  Publication year： Mar. 2008 
JST Material Number： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  single crystal ,  substrate (plate) ,  *crystal growth ,  silicon ,  Germanium ,  Hydrogen ,  Argon ,  *gas-liquid-solid reaction ,  atomic force microscope ,  surface layer structure ,  twin ,  epitaxy ,  crystal face ,  domain ,  reaction mechanism ,  alkane
Semi thesaurus term： eutectic composition

JST classification (4)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Nonmetallic compounds  (CD01070R)

Substance index (1)： Propane

Terms in the title (5)： SiC基板 ,  3C-SiC ,  気 ,  固相成長 ,  成長