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J-GLOBAL ID：200902210493048097   Reference number：05A0667521

Temperature dependence of threading dislocation density in In_0.2Ga_0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy

有機金属気相エピタクシーによってGaAs基板上に成長したIn_0.2Ga_0.8As層における貫通転位密度の温度依存性

Author (5)： TAKANO Y. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  KOBAYASHI K. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  SHIRAKATA S. (Fac. of Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  UMEZAWA M. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  FUKE S. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 282  Issue： 1-2  Page： 36-44  Publication year： Aug. 15, 2005 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaAs基板 ,  成長 ,  貫通転位密度 ,  温度依存性