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J-GLOBAL ID：200902211549180003   Reference number：06A0724879

Nonvolatile resistance-switching memory in transition-metal oxides (ReRAM)

遷移金属酸化物による抵抗変化型不揮発性メモリー(ReRAM)

Author (1)： SAWA AKIHITO (産業技術総合研 強相関電子技術研究セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 75  Issue： 9  Page： 1109-1114  Publication year： Sep. 10, 2006 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *RAM ,...
Semi thesaurus term： *ReRAM ,...

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JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Reference (33)：

• ZHUANG, W. W. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco, 2002. 2002, 193
• BAEK, I. G. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco, 2004. 2004, 587
• LIU, S. Q. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749
• BECK, A. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 139
• BAEK, I. G. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C., 2005. 2005, 769

Terms in the title (4)： 遷移金属酸化物 ,  抵抗変化 ,  不揮発性メモリー ,  ReRAM