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J-GLOBAL ID：200902211711679637   Reference number：08A0360561

An 8T-SRAM for Variability Tolerance and Low-Voltage Operation in High-Performance Caches

高性能キャッシュの変動トレランスおよび低電圧動作用8T-SRAM

Author (8)： CHANG Leland (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  MONTOYE Robert K. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  NAKAMURA Yutaka (IBM Global Engineering Serv., Kyoto, JPN) ,  BATSON Kevin A. (IBM Systems and Technol. Group, VT, USA) ,  EICKEMEYER Richard J. (IBM Systems and Technol. Group, MN, USA) ,  DENNARD Robert H. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  HAENSCH Wilfried (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  JAMSEK Damir (IBM Austin Res. Lab, TX, USA)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 43  Issue： 4  Page： 956-963  Publication year： Apr. 2008 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cache memory ,  *fluctuation and variation ,  *resistance(endure) ,  *SRAM ,  memory element ,  disturbance ,  part ,  CMOS structure ,  SOI structure
Semi thesaurus term： subarray ,  memory cell ,  disturbance ,  *electrical low voltage

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： 高性能 ,  キャッシュ ,  低電圧 ,  SRAM