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J-GLOBAL ID：200902212440733610   Reference number：03A0329429

Electron transport in a submicron-scale AlGaAs/GaAs field-effect transistor with InAs nanodots as the floating gate

フローティングゲートとしてInAsナノドットを有するサブミクロンスケールのAlGaAs/GaAs電界効果トランジスタにおける電子輸送

Author (4)： KOIKE K (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  SASA S (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE M (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  YANO M (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 21  Issue： 2  Page： 710-713  Publication year： Mar. 2003 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...
Semi thesaurus term： ナノドット ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： フローティングゲート ,  InAs ,  ナノドット ,  AlGaAs ,  GaAs ,  電界効果トランジスタ ,  電子輸送