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J-GLOBAL ID：200902212494232455   Reference number：06A0828319

Diagnostics of CF₂ Radical and Molecules in Non-equilibrium Atmospheric Pressure-Pulsed Plasma for SiO₂ Etching

SiO₂ エッチングのための非平衡大気圧パルスプラズマにおけるCF₂ラジカルと分子の診断

Author (4)： IWASAKI M. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ITO M. (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  UEHARA T. (Sekisui Chemical Co., Ltd., Tsukuba, JPN) ,  HORI M. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 5th  Page： 85-86  Publication year： 2005 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We have demonstrated the etchi...

Thesaurus term： *fine patterning ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Plasma devices  (BJ02082I)

Terms in the title (8)： SiO2 ,  エッチング ,  非平衡 ,  大気圧 ,  パルスプラズマ ,  ラジカル ,  分子 ,  診断