Art

J-GLOBAL ID：200902212712725299   Reference number：09A1183742

Photoluminescence of an Al_0.5Ga_0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 to 400 K

温度範囲5から400KにおけるAl_0.5Ga_0.5As/GaAs多重量子井戸の光ルミネセンス

Author (3)： DANG Giang T. (Fac. of Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kamishi, Kochi 782-8502, JPN) ,  KANBE Hiroshi (Fac. of Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kamishi, Kochi 782-8502, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Fac. of Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kamishi, Kochi 782-8502, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 106  Issue： 9  Page： 093523  Publication year： Nov. 01, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,  *aluminum gallium arsenide ,  gallium arsenide ,  *carrier recombination ,  compound semiconductor ,  *multiple quantum well ,  doping ,  temperature dependence

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： 温度範囲 ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  光ルミネセンス