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J-GLOBAL ID：200902213889728626   Reference number：08A0781482

Evidence of low interface trap density in GeO₂/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation

熱酸化で作製したGeO₂/Ge MOS構造の界面捕獲密度の証拠

Author (4)： MATSUBARA Hiroshi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SASADA Takashi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 3  Page： 032104  Publication year： Jul. 21, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thermal oxidation ,  germanium oxide ,  *MOS structure ,  *density ,  trapping center ,  surface potential ,  annealing (heat treatment) ,  passivation ,  interface (surface) ,  *trap density ,  modification
Semi thesaurus term： *捕獲密度

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (8)： 熱酸化 ,  作製 ,  GeO2 ,  Ge ,  MOS構造 ,  界面 ,  捕獲密度 ,  証拠