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J-GLOBAL ID：200902215740903932   Reference number：09A0083209

Segregation of boron in germanium crystal

ゲルマニウム結晶中のホウ素の偏析

Author (4)： TAISHI T. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MURAO Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  OHNO Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  YONENAGA I. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 311  Issue： 1  Page： 59-61  Publication year： Dec. 15, 2008 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *germanium ,  *doping ,  boron ,  semiconductor ,  *Hall effect ,  carrier density ,  electric resistance ,  *segregation(concentration distribution) ,  *Czochralski method ,  single crystal

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： ゲルマニウム ,  結晶 ,  ホウ素 ,  偏析