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J-GLOBAL ID：200902216198572939   Reference number：05A0606434

Photoluminescence characterization of excitonic centers in ZnO epitaxial films

ZnOエピタキシャル薄膜における励起子中心の光ルミネセンス特性

Author (13)： WATANABE M. (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  SAKAI M. (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  SHIBATA H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAMPO H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FONS P. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  IWATA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA A. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MATSUBARA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SAKURAI K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ISHIZUKA S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  NIKI S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  NAKAHARA K. (ROHM Co. Ltd., Kyoto, JPN) ,  TAKASU H. (ROHM Co. Ltd., Kyoto, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 22  Page： 221907.1-221907.3  Publication year： May. 30, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,...

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JST classification (2)： Excitons  (BM02120E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： ZnO ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  励起子 ,  光ルミネセンス