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J-GLOBAL ID：200902216273472503   Reference number：03A0706692

A one-dimensional model to predict the growth conditions of In_xGa_1-xAs alloy crystals grown by the traveling liquidus-zone method

移動液相帯域法によって成長させたIn_xGa_1-xAs合金結晶の成長条件を予測するための一次元模型

Author (5)： NAKAMURA H (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  HANAUE Y (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  KATO H (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  KINOSHITA K (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  YODA S (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 258  Issue： 1/2  Page： 49-57  Publication year： Oct. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zone melting ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (9)： 液相 ,  帯域 ,  成長 ,  XAS ,  合金 ,  結晶 ,  成長条件 ,  予測 ,  模型