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J-GLOBAL ID：200902216972731379   Reference number：04A0656940

12.7kV Ultra High Voltage SiC Commutated Gate Turn-off Thyristor: SICGT

12.7kV超高電圧SiC整流ゲートターンオフサイリスタ:SICGT

Author (7)： SUGAWARA Y (Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN) ,  TAKAYAMA D (Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN) ,  ASANO K (Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN) ,  AGARWAL A (CREE Inc., NC, USA) ,  RYU S (CREE Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J (CREE Inc., NC, USA) ,  OGATA S (Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 16th  Page： 365-368  Publication year： 2004 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *GTO ,...
Semi thesaurus term： SICGT ,...

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JST classification (3)： Thyristors  (NC03060C) ,  Power converters  (NB08030B) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (4)： 超高電圧 ,  SiC ,  整流 ,  ゲートターンオフサイリスタ