Art

J-GLOBAL ID：200902217983615393   Reference number：05A0214863

Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Hf-Al-O/Si Field-Effect-Transistor with Long Retention Using Unsaturated Ferroelectric Polarization Switching

不飽和強誘電分極スイッチングを用いた長い保持能力をもつPt/SrBi₂Ta₂O₉/Hf-Al-O/Si電界効果トランジスター

Author (3)： SAKAI S (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ILANGOVAN R (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI M (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 43  Issue： 11B  Page： 7876-7878  Publication year： Nov. 30, 2004 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dielectric polarization ,...
Semi thesaurus term： ポーリング処理

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0214863&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (5)：

• 1) Y. Tarui, T. Hirai, K. Teramoto, H. Koike and K. Nagashima: Appl. Surf. Sci. 113–114 (1997) 656.
• 2) S. Migita, K. Sakamaki, H. Ota, S.-B. Xiong, Y. Tarui and S. Sakai: Integr. Ferroelectr. 40 (2001) 1533.
• 3) M. Takahashi, H. Sugiyama, T. Nakaiso, K. Kodama, M. Noda and M. Okuyama: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 2923.
• 4) S. Sakai and R. Ilangovan: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 369.
• 5) K. Sakamaki, S. Migita, S.-B. Xiong and S. Sakai: unpublished.

Terms in the title (9)： 不飽和 ,  強誘電分極 ,  スイッチング ,  保持能力 ,  Pt ,  HF ,  Al ,  Si ,  電界効果トランジスター