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J-GLOBAL ID：200902218120424820   Reference number：05A0532887

Highest Density 1.3 μm InAs Quantum Dots Covered with Gradient Composition InGaAs Strain Reduced Layer Grown with an As₂ Source Using Molecular Beam Epitaxy

分子ビームエピタクシーを用いるAs₂源を持つ歪緩和した組成傾斜InGaAsで被覆した1.3μmInAsの高密度量子ドット

Author (3)： AMANO Takeru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUGAYA Takeyoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KOMORI Kazuhiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 12-15  Page： L432-L434  Publication year： Apr. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...
Semi thesaurus term： strain relaxation

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (8)：

• 1) T. Akiyama, O. Wada, H. Kuwatsuka, T. Simoyama, Y. Nakano, K. Mukai, M. Sugawara and H. Ishikawa: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1753.
• 2) O. B. Shchekin and D. G. Deppe: IEEE Photon. Technol. Lett. 14 (2002) 1231.
• 3) S. Yokoyama, S. Muto, K. Ishimura, M. Takatsu, T. Mori, Y. Sugiyama, Y. Sakuma, H. Nakano and T. Adachihara: Solid State Commun. 40 (1996) 505.
• 4) J. J. Finley, M. Skalitz, M. Arzberger, A. Zrenner, G. Bohn and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 73 (1999) 2678.
• 5) K. Yamaguchi, K. Yujobo and T. Kaizu: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1245.

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  歪緩和 ,  組成傾斜 ,  InGaAs ,  高密度 ,  量子ドット