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J-GLOBAL ID：200902218381140102   Reference number：08A0654699

Growth of Crystalline Zinc Oxide Thin Films by Fine-Channel-Mist Chemical Vapor Deposition

微細チャンネルミスト化学蒸着による結晶酸化亜鉛薄膜の成長

Author (3)： KAWAHARAMURA Toshiyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHINAKA Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 6 Issue 1  Page： 4669-4675  Publication year： Jun. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  *zinc oxide ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  substrate(plate) ,  rocking curve ,  *photoluminescence ,  single crystal ,  optical property ,  electrical property ,  thin film growth
Semi thesaurus term： sapphire substrate

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (59)：

• X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai: Jpn. J. Appl. Phys. 40(2001) L177.
• H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono: J. Appl. Phys. 89(2001) 5720.
• D.-K. Hwang, S.-H. Kang, J.-H. Lim, E.-J. Yang, J.-Y. Oh, J.-H. Yang, and S.-J. Park: Appl. Phys. Lett. 86(2005) 222101.
• A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S.-F. Chichibu, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 44(2005) L643.
• S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen: J. Cryst. Growth 225(2001) 110.

Terms in the title (7)： 微細 ,  チャンネル ,  ミスト ,  化学蒸着 ,  結晶 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  成長