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J-GLOBAL ID：200902219731164073   Reference number：03A0656573

155 Mbit/s transmission using ASE-injected Fabry-Perot laser diode in WDM-PON over 70°C temperature range.

WDM-PON中においてASE注入Fabry-Perotレーザダイオードを用いた,70°C領域を超える155Mビット/s伝送

Author (9)： SHIN D J (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  JUNG D K (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE J K (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE J H (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  BANG Y C (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  SHIN H S (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE J (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  HWANG S T (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  OH Y J (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 39  Issue： 18  Page： 1331-1332  Publication year： Sep. 04, 2003 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *optical communication ,...

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JST classification (1)： Optical communication systems and equipment  (ND10000B)

Terms in the title (5)： WDM-PON ,  ASE ,  注入 ,  Fabry-Perotレーザダイオード ,  ビット