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J-GLOBAL ID：200902220035025520   Reference number：04A0211830

Low-Temperature Growth of Thin Silicon Nitride Film by Electron Cyclotron Resonance Plasma Irradiation

電子サイクロトロン共鳴プラズマ照射による窒化けい素薄膜の低温成長

Author (7)： ZHAO L (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  LUU N H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  WANG D (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SUGIMOTO Y (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKEDA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA HID (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA HIR (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 1A/B  Page： L47-L49  Publication year： Jan. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma exposure ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Reference (11)：

• 1) G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
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• 5) Y. Saito, K. Sekine, M. Hirayama and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2329.

Terms in the title (4)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  窒化 ,  けい素薄膜 ,  低温成長