Art

J-GLOBAL ID：200902221512601756   Reference number：08A0277159

Unusual thickness dependence of permittivity and elastic strain in Sc modified epitaxial (Ba,Sr)TiO3 thin films

Sc修飾エピタクシャル(Ba,Sr)TiO₃薄膜における誘電率及び弾性歪の異常膜厚依存性

Author (6)： PARK Woo Young (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HWANG Cheol Seong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  BANIECKI John D. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN) ,  ISHII Masatoshi (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN) ,  KURIHARA Kazuaki (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN) ,  YAMANAKA Kazunori (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 10  Page： 102902  Publication year： Mar. 10, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *strontium compound ,  *titanate ,  *barium compound ,  dielectric thin film ,  epitaxy ,  *Scandium ,  *doping ,  *permittivity ,  strain ,  film thickness ,  Platinum ,  strontium titanate ,  substrate (plate) ,  lattice constant ,  *barium strontium titanate ,  *elastic strain

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Mechanics of elasticity in general  (HC02010M)

Terms in the title (9)： Sc ,  修飾 ,  エピタクシャル ,  Ba ,  Sr ,  薄膜 ,  誘電率 ,  弾性歪 ,  膜厚依存性