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J-GLOBAL ID：200902222078886760   Reference number：06A0447566

λ~1.49-3.4 μm intersubband absorptions in (CdS/ZnSe)/BeTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタキシにより成長した(CdS/ZnSe)/BeTe量子井戸におけるλ≒1.49~3.4μmサブバンド間吸収

Author (4)： LI B. S. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  AKIMOTO R. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  AKITA K. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  HASAMA T. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 22  Page： 221915-221915-3  Publication year： May. 29, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *multiple quantum well ,...
Semi thesaurus term： molecular beam epitaxy

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JST classification (1)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタキシ ,  成長 ,  CdS ,  ZnSe ,  量子井戸 ,  サブバンド間吸収