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J-GLOBAL ID：200902222600823080   Reference number：08A1201540

Doping Profiles and Nanostructural Properties of Molecular-Beam-Deposited GZO Thin Films on Glass Substrates

ガラス基板上の分子線堆積GZO薄膜のドーピングプロファイルとナノ構造性質

Author (11)： MURANAKA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  UEHARA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  SAKANO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  NABETANI Y. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  AKITSU T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  KATO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  MATSUMOTO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  HAGIHARA S. (Yamanashi Industrial Technol. Center, Yamanashi, JPN) ,  ABE O. (Yamanashi Industrial Technol. Center, Yamanashi, JPN) ,  HIRAKI S. (Nakaya Corp., Yamanashi, JPN) ,  FUJIKAWA Y. (Nakaya Corp., Yamanashi, JPN)
Material： Journal of the Korean Physical Society
Volume： 53  Issue： 5 Pt.2  Page： 2897-2900  Publication year： Nov. 15, 2008 
JST Material Number： T0357A  ISSN： 0374-4884  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Korea, Republic of (KOR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,  *zinc oxide ,  gallium ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *doping ,  substrate(plate) ,  glass ,  X-ray diffraction ,  Hall effect ,  electron microscopy ,  *carrier density ,  *nanostructure

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (7)： ガラス基板 ,  分子線 ,  堆積 ,  GZO ,  薄膜 ,  ドーピングプロファイル ,  構造性質