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J-GLOBAL ID：200902222623689560   Reference number：03A0300742

傾斜組成多層膜バッファ層と中間層を用いたSi(111)基板上クラックフリーGaN薄膜の成長

Author (4)： SHIBATA TOMOKI (日本工大) ,  KIM S-W (日本工大) ,  HAGA KAZUHIRO (秩父富士) ,  SUZUKI TOSHIMASA (日本工大)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 50th  Issue： 1  Page： 410  Publication year： Mar. 27, 2003 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： multilayer film ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムアルミニウム

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： 傾斜組成 ,  多層膜 ,  バッファ層 ,  中間層 ,  Si ,  クラック ,  GaN ,  薄膜 ,  成長