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J-GLOBAL ID：200902223143399320   Reference number：07A1231163

Impact of STI Effect on Flicker Noise in 0.13-μm RF nMOSFETs

0.13μm RF nMOSFETにおけるSTI効果がフリッカ雑音に及ぼす影響

Author (5)： CHAN Chih-Yuan (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Yu-Syuan (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Yen-Chun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Shawn S. H. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  JUANG Ying-Zong (National Chip Implementation Center, Hsinchu, TWN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 54  Issue： 12  Page： 3383-3392  Publication year： Dec. 2007 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *submicron process ,...
Semi thesaurus term： *flicker noise

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Noise measurement  (ND04030F)

Terms in the title (4)： RF ,  nMOSFET ,  STI ,  フリッカ雑音