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J-GLOBAL ID：200902223199526961   Reference number：03A0637690

Photoluminescence characterization of GaInNAs/GaAs quantum well carrier dynamics

GaInNAs/GaAs量子井戸のキャリア動力学の光ルミネセンスによる評価

Author (6)： NG T K (Nanyang Technological Univ., SGP) ,  YOON S F (Nanyang Technological Univ., SGP) ,  WANG S Z (Nanyang Technological Univ., SGP) ,  LIN L-H (National Chiayi Univ., Chiayi City, TWN) ,  OCHIAI Y (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MATSUSUE T (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 94  Issue： 5  Page： 3110-3114  Publication year： Sep. 01, 2003 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium compound ,...
Semi thesaurus term： *carrier

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： GaInNAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  キャリア動力学 ,  光ルミネセンス ,  評価