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J-GLOBAL ID：200902223273453440   Reference number：07A0230233

Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors

Siを基本とするナノスケールの電界効果トランジスタ中の個々のアクセプタによる伝導度の変調

Author (6)： ONO Y. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  NISHIGUCHI K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  FUJIWARA A. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  YAMAGUCHI H. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  INOKAWA H. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  TAKAHASHI Y. (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo, Hokkaido 060-0814, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 90  Issue： 10  Page： 102106-102106-3  Publication year： Mar. 05, 2007 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： carrier emission

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： Si ,  ナノスケール ,  電界効果トランジスタ ,  アクセプタ ,  伝導度 ,  変調