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J-GLOBAL ID：200902223910185277   Reference number：04A0026996

多電極直流プラズマCVD法による,方位成長速度比を制御したダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

Author (7)： ANDO YUTAKA (青山学院大 理工) ,  FUJISAWA KEN (青山学院大 理工) ,  SUGISAKI IZUMI (青山学院大 理工) ,  MAEDA SHINTARO (青山学院大 理工) ,  KUWABARA JUNJI (青山学院大 理工) ,  SUZUKI KAZUHIRO (トウプラスエンジニアリング) ,  SAWABE ATSUHITO (青山学院大 理工)
Material： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
Volume： 17th  Page： 44-45  Publication year： Nov. 26, 2003 
JST Material Number： L1241A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma CVD ,...

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Substance index (1)： Methane

Terms in the title (7)： 多電極 ,  直流 ,  プラズマCVD法 ,  方位 ,  成長速度 ,  ダイヤモンド ,  成長