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J-GLOBAL ID：200902224016068680   Reference number：07A0589290

Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurizing sol-gel deposited precursors

ゾル-ゲル堆積前駆体の硫化によるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製

Author (3)： TANAKA Kunihiko (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  MORITAKE Noriko (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  UCHIKI Hisao (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN)
Material： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Sol Energy Mater Sol Cells)
Volume： 91  Issue： 13  Page： 1199-1201  Publication year： Aug. 15, 2007 
JST Material Number： D0513C  ISSN： 0927-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： sol-gel process ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (4)： 2-Methoxyethanol ,  Ethanolamine ,  Zinc Acetate ,  Diacetic acid copper(II) salt

Terms in the title (7)： ゾル-ゲル ,  堆積 ,  前駆体 ,  硫化 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  作製