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J-GLOBAL ID：200902224047900686   Reference number：09A0995086

透明導電性高分子/III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造

Author (7)： MATSUKI NOBUYUKI (物質・材料研究機構) ,  NAKANO YOSHITAKA (中部大 総工研) ,  IROKAWA YOSHIHIRO (中部大 総工研) ,  LOZACH Mikael (筑波大 大学院) ,  SAKOTA KAZUAKI (物質・材料研究機構) ,  SAKOTA KAZUAKI (筑波大 大学院) ,  SUMIYA MASATOMO (物質・材料研究機構)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 70th  Issue： 1  Page： 343  Publication year： Sep. 08, 2009 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solar cell ,  *conducting polymer ,  transparent conducting thin films ,  polymer membrane ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *Schottky barrier ,  semiconductor thin film ,  MOCVD ,  frequency dependence ,  electrostatic capacity ,  poly(ethylenedioxythiophene) ,  polystyrene sulfonic acid ,  polyaniline
Semi thesaurus term： PEDOT ,  dielectric dispersion

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Physical properties of polymer solids  (CG02024U)

Terms in the title (7)： 導電性高分子 ,  III族 ,  窒化物半導体 ,  ショット ,  キー ,  太陽電池 ,  界面構造