Art

J-GLOBAL ID：200902227446728101   Reference number：08A0818596

Lateral epitaxial growth of germanium on silicon oxide

酸化けい素上でのゲルマニウムの横方向エピタキシャル成長

Author (9)： CAMMILLERI V. D. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  YAM V. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  FOSSARD F. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  RENARD C. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  BOUCHIER D. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  FAZZINI P. F. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA) ,  ORTOLANI L. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA) ,  HOUDELLIER F. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA) ,  HYETCH M. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 4  Page： 043110  Publication year： Jul. 28, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Germanium ,  silicon oxide ,  substrate (plate) ,  surface reaction ,  *oxidation ,  scale ,  seed ,  electron microscopy ,  *semiconductor thin film ,  *single crystal ,  silicon nitride ,  mask ,  pattern formation ,  *chemical vapor deposition ,  nano scale ,  local oxidation
Semi thesaurus term： seed

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 酸化けい素 ,  ゲルマニウム ,  横方向 ,  エピタキシャル成長