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J-GLOBAL ID：200902228786042235   Reference number：05A1022841

Electrical Behavior of Germanium Oxide/Germanium Interface Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Oxidation in Capacitance and Conductance Measurements

静電容量とコンダクタンス測定における電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化で作製した酸化ゲルマニウム/ゲルマニウム界面の電気的挙動

Author (3)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  UENO Tomoo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRONO Shigeru (NTT AFTY Corp., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 11  Page： 7928-7930  Publication year： Nov. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electrostatic capacity ,...
Semi thesaurus term： plasma treatment ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Reference (8)：

• 1) H. Shang, H. Okorn-Schimdt, J. Ott, P. Kozlowski, S. Steen, E. C. Jones, H.-S. P. Wong and W. Hanesch: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 242.
• 2) C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, B. B. Triplett, P. C. McIntyre and K. C. Saraswat: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 437.
• 3) D. S. Yu, C. H. Huang, A. Chin, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 138.
• 4) A. Ritenour, S. Yu, M. L. Lee, N. Lu, W. Bai, A. Pitera, E. A. Fitzgerald, D. L. Kwong and D. A. Antoniadis: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 433.
• 5) Y. Fukuda, T. Ueno and S. Hirono: Ext. Abstr. 52nd Spring Meet. 2005, Japan Society of Applied Physics and Related Societies, 1a-ZB-3 [in Japanese].

Terms in the title (9)： 静電容量 ,  コンダクタンス ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  酸化 ,  作製 ,  酸化ゲルマニウム ,  ゲルマニウム ,  界面 ,  挙動