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J-GLOBAL ID：200902229624597078   Reference number：09A0714556

Dielectric Properties of La Doped-Hexagonal BaTiO₃ Single Crystal Grown by FZ Method

FZ法により成長させたLaドープ六方BaTiO₃単結晶の誘電特性

Author (6)： NATSUI Hidesada (Tokyo Inst. of Technol.) ,  YU Jianding (Japan Aerospace Exploration Agency) ,  MASUNO Atsunobu (Univ. Tokyo) ,  ITOH Mitsuru (Tokyo Inst. of Technol.) ,  ODAWARA Osamu (Tokyo Inst. of Technol.) ,  YODA Shinichi (Tokyo Inst. of Technol.)
Material： Ferroelectrics
Volume： 378  Page： 195-199  Publication year： Apr. 2009 
JST Material Number： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hexagonal system ,  oxygen deficiency ,  *barium titanate ,  doping ,  Lanthanum ,  *permittivity ,  annealing (heat treatment) ,  impedance ,  complex number ,  semiconductivity ,  Schottky barrier ,  electrode ,  complex plane
Semi thesaurus term： anneal ,  *巨大誘電率

JST classification (1)： Dielectrics in general  (BM05010F)

Terms in the title (6)： 成長 ,  La ,  ドープ ,  BaTiO3 ,  単結晶 ,  誘電特性